Koks yra pagrindinis metodas, naudojamas LED epitaksialinio vaflių augimo technologijoje?

LED epitaksinio vaflių augimo technologija daugiausia naudoja metalo-organinio cheminio garų nusėdimą (MOCVD) .MOCVD yra dažniausiai naudojama epitaksinio augimo technologija, kuri gali suvokti epitaksinio sluoksnio augimą, tiksliai kontroliuojant reakcijos dujų, temperatūros ir slėgio srauto, temperatūros ir slėgio srautą, temperatūrą ir slėgį. ir tt MOCVD pranašumai apima galimybę tiksliai valdyti epitaksinio sluoksnio, tinkamo masinei gamybai, storį ir sudėties ir yra pagrindinis būdas sukurti ypač aukšto ryškumo šviesos diodus. MOCVD pranašumai apima galimybę tiksliai valdyti epitaksinio sluoksnio storią ir sudėties, todėl jis yra tinkamas masinei gamybai ir yra pagrindinis būdas gaminti ypač aukšto ryškumo šviesos diodus.

Be to, molekulinio pluošto epitaksija (MBE) taip pat yra svarbi epitaksinio augimo technologija, MBE atliekama itin didelio vakuumo aplinkoje, kontroliuojant atominio ar molekulinio pluošto pluošto intensyvumą ir kritimo kampą, epitaksinį augimą ant pagrindo, MBE gali realizuoja atominį tikslaus valdymo lygį, tinka aukštos kokybės, sudėtingos struktūros epitaksinių plokštelių paruošimui, tačiau jo gamybos efektyvumas yra mažas.

Kiti epitaksinio augimo metodai apima garų fazės epitaksiją (VPE) ir skystosios fazės epitaksiją (LPE). VPE yra paprastesnė, bet mažiau efektyvi, o LPE yra produktyvesnė ir tinkama didelio ryškumo šviesą skleidžiantiems prietaisams gaminti, tačiau jo taikymo sritis taikymas yra palyginti ribotas.